... ... ...
...
ACDCshop logo
Set of tools for repairing soldered connections
GreekSeperatorEnglishSeperator
Νέα προϊόντα Πλοηγός Εταιρία Λογαριασμός Καλάθι Επικοινωνία
Αναζήτηση:    
  Κατάλογος » Hμιαγωγοί » Transistor / Fet » FET : Transistor N-MOSFET, unipolar, 100V, 32A, 95W, TO252AA  [Είσοδος
Background
...
  arrow Kατηγοριες  
     
  arrow Δημοφιλή  
Transistor N-FET - Transistor  N-MOSFET, unipolar, 500V, 7.2A, 30W, TO220FP
Transistor N-FET - Transistor N-MOSFET, unipolar, 500V, 7.2A, 30W, TO220FP
Τελική: 1.47 €
     
  arrow Νεο Περισσότερα  
FET - Module, single transistor, 40V, 660A, SOT227B, Ugs  ±15V, screw
FET - Module, single transistor, 40V, 660A, SOT227B, Ugs ±15V, screw
Τελική: 36.77 €
     
  arrow Πληρωμες  
Visa Mastercard 
Verified visa Secure Code 
Paypal 
     
  arrow Πληροφορίες  
  Η εταιρία
  Τρόποι πληρωμής
  Τρόποι αποστολής
  Τρόποι αγοράς
  Συχνές ερωτήσεις
  Δήλωση απορρήτου
  Όροι Χρήσης
  Επικοινωνία
     
Seperator
Seperator

Transistor N-FET - Transistor N-MOSFET, unipolar, 100V, 32A, 95W, TO252AA

Κωδικός: 36634

FDD3682 PDF

FDD3682

Τιμή χωρίς ΦΠΑ:  1.47 €
Αξία ΦΠΑ:  0.35 €
Τελική με ΦΠΑ:  1.82 €
Ποσότητα:   
Προειδοποίηση Μεγάλος χρόνος παράδοσης
Specifications
Manufacturer ONSEMI
Type of transistor N-MOSFET
Technology PowerTrench®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 100V
Drain current 32A
Power dissipation 95W
Case TO252AA
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 90mΩ
Mounting SMD
Gate charge 28nC
Kind of package reel,   tape
Kind of channel enhanced
Gross weight 0.37 g
 
Διαθεσιμότητα: Με παραγγελία
Seperator Πίσω Κριτικές Seperator
Κατασκευαστές--- | ADVANCED POWER ELECTRONICS | DIODES INCORPORATED | DIOTEC SEMICONDUCTOR | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | INFINEON TECHNOLOGIES | INTERNATIONAL RECTIFIER | IXYS | MICROCHIP TECHNOLOGY | NXP | ON SEMICONDUCTOR | RENESAS | ST MICROELECTRONICS | TAIWAN SEMICONDUCTOR | TOSHIBA | VISHAY
left left Σχετικά Προϊόντα right
FK24413DPAK - Heatsink copper DPAK for TO252
FK24413DPAK - Heatsink copper DPAK for TO252

Seperator
Εκτέλεση: 0.015 s
Background
Rounded corner: bottom-left Background Rounded corner: bottom-right